近日，深圳佰維存儲科技股份有限公司的晶圓級先進封測制造項目正式落地東莞松山湖高新技術產業開發區，簽約儀式在東莞市成功舉辦。佰維存儲董事長孫成思，總經理何瀚，創始人孫日欣，以及公司旗下惠州佰維、廣東芯成漢奇（此項目實施主體）總經理劉昆奇出席了簽約儀式。東莞市委副書記、市長呂成蹊，東莞市委副書記、松山湖黨工委書記劉煒，松山湖黨工委副書記、管委會主任歐陽南江、東莞市投資促進局局長陳順嬌出席并見證合約簽署的莊嚴時刻。此外，出席本次簽約儀式的還有來自學術界、金融界以及產業鏈的重量級嘉賓，原廣東工業大學黨委書記、校長、現廣工大國家重點實驗室主任陳新教授，達晨資本合伙人梁國智、王贊章，國家開發銀行深圳分行處長孫宸，副處長李皓，中國進出口銀行深圳分行處長吳金瑢，廣州慧智微電子董事長、總經理李陽等貴賓隆重出席了簽約儀式。

晶圓級先進封測系介于前道晶圓制造與后道封裝測試之間的半導體制造中道工序，采用光刻，刻蝕，電鍍，PVD，CVD，CMP，Strip等前段晶圓制造工序，以實現凸塊（Bumping），重布線（RDL），扇入（Fan-in），扇出（Fan-out），硅通孔（TSV）等工藝技術，不僅可以將芯片直接封裝在晶圓上，節省物理空間，還能夠將多個芯片集成在同一個晶圓上，實現更高的集成度。落地晶圓級先進封測項目有利于公司產品實現更大的帶寬、更高的速度、更靈活的異構集成以及更低的能耗，賦能移動消費電子、高端超級計算、游戲、人工智能和物聯網等應用領域的客戶。

綜合來看，佰維存儲具備實施該項目所需的技術保障和競爭優勢。得益于在存儲器先進封測領域的深厚積累，公司掌握16層疊Die、30~40μm超薄Die、多芯片異構集成等先進封裝工藝，為NAND、DRAM芯片和SiP封裝產品的創新力及大規模量產提供支持。目前，公司已構建成建制的、具備國際化視野的專業晶圓級先進封裝技術和運營團隊，并與廣東工業大學省部共建精密電子制造技術與裝備國家重點實驗室（廣工大國重實驗室）等高校達成戰略合作，共同推動大灣區發展晶圓級先進封測技術，賦能項目實施和商業成功。

晶圓級先進封測技術是當前半導體產業的重點發展方向之一，其廣泛應用將進一步推動電子設備的發展和智能化進程，助力集成電路產業實現高算力、低功耗的良性發展。落地晶圓級先進封測是佰維存儲順應先進存儲器發展需要、存儲和邏輯整合技術趨勢下的前瞻性布局，項目旨在樹立大灣區先進封測的標桿。公司積極推進與IC設計廠商、晶圓制造廠商以及終端客戶等產業鏈伙伴實現“WIN-WIN”共贏，為大灣區的集成電路補鏈、強鏈建設添磚加瓦，提升集成電路產業規模和技術水平。